掀开奶罩边躁狠狠躁苏玥视频,无码专区3d动漫精品,去阳台跪着把屁股抬起来,精品国产丝袜黑色高跟鞋

日本半導(dǎo)體業(yè)在全球的市場份額不斷下降。據(jù)最近公布的2005年全球半導(dǎo)體業(yè)市場份額，日本半導(dǎo)體廠商合計(jì)僅占20%左右，對比上世紀(jì)80年代占有世界市場50%以上份額的盛況，已不可同日而語。

 

 

 

　　產(chǎn)業(yè)根基不斷下沉

 

 

 

　　日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的根基正在不斷下沉，其實(shí)早在2002年，日本最大的半導(dǎo)體廠商東芝公司就被韓國三星公司超過，降為世界第三位其他日本半導(dǎo)體廠商在世界市場上的排名也連年持續(xù)走低，三菱電機(jī)和富士通公司當(dāng)年已被擠出了全球十大半導(dǎo)體廠商排行榜。

 

　　2001和2002兩個(gè)財(cái)政年度，日本五大半導(dǎo)體廠商東芝、NEC、日立、三菱電機(jī)和富士通等公司，累計(jì)虧損高達(dá)138億美元。而當(dāng)時(shí)全球半導(dǎo)體業(yè)排名首位和第二位的英特爾和三星公司卻獲得大致相同的贏利。

 

　　據(jù)美國iSuppli公司的最新統(tǒng)計(jì)，2005年全球半導(dǎo)體市場比2004年增長200多億美元，總額為2370億美元。然而日本大型半導(dǎo)體廠商包括NEC電子公司和由日立與三菱電機(jī)半導(dǎo)體部門合并組成的瑞薩技術(shù)公司，都大幅度地減少了贏利。以NEC電子為例，其2005年的銷售額為57.1億美元，與2004年相比，降低了12.2%，世界排名也降為第10名。而全球主要半導(dǎo)體廠商2005年的平均增長率為4.4%。

 

　　另據(jù)日本電波新聞2006年1月中旬報(bào)道，日本包括半導(dǎo)體器件在內(nèi)的電子零部件的2005年銷售額，比2004年下降6.2%，為91668億日元。

 

　　目前的NEC電子公司是NEC總公司于2002年在其半導(dǎo)體部門基礎(chǔ)上成立的。為了集中力量生產(chǎn)供應(yīng)日本家用電器廠商的核心部件專用集成電路，在成立NEC電子公司時(shí)，已將虧損的存儲器生產(chǎn)部門從NEC剝離，以便使其擺脫赤字的局面。

 

　　然而人算不如天算。隨著競爭加劇，數(shù)字家電的利潤率不斷降低，在市場壓力下，日本家用電器產(chǎn)品的市場主要集中到日本國內(nèi)。在出口不能大幅度增長的情況下，NEC電子生產(chǎn)的家電專用集成電路的贏利額并不高。雪上加霜的是，由于家電市場變化快，顧客要求高，因而許多專用集成電路需要特別設(shè)計(jì)。由于產(chǎn)品更新快，相應(yīng)地在設(shè)計(jì)開發(fā)費(fèi)用上投入較大，從而使NEC電子公司半導(dǎo)體器件的利潤額進(jìn)一步減少。因?yàn)閭鹘y(tǒng)上每年第一季度是銷售淡季，可以預(yù)計(jì)，至2006年3月底結(jié)束的本財(cái)政年度中，NEC電子將有330億日元的赤字。這將是NEC電子連續(xù)第三年銷售額下降。

 

　　此外，由日立公司和三菱電機(jī)公司合作成立的瑞薩技術(shù)公司，預(yù)計(jì)本財(cái)年的利潤僅為銷售額的1%。作為對比，美國Intel公司2005年的利潤率高達(dá)30%。

 

 

 

　　存儲器業(yè)遭遇強(qiáng)敵

 

 

 

　　日本半導(dǎo)體業(yè)的亮點(diǎn)是日本東芝公司，其在全球半導(dǎo)體市場的排名由2004年的第7名，升為2005年的第4名，銷售額為93.6億美元。預(yù)計(jì)其2005財(cái)年的利潤率為10%。對此做出主要貢獻(xiàn)的是用于iPod便攜式音樂播放器等方面的與非型快速擦寫存儲器。日本專門生產(chǎn)存儲器的Elpida公司本來應(yīng)該有一定贏利，然而2005年該公司投資2000億日元，建設(shè)300mm硅圓片廠，因此其將會有小額虧損。

 

　　盡管上述兩家日本半導(dǎo)體廠有一定贏利，但前景不容樂觀。一方面是由于居世界存儲器首位的韓國三星電子公司的強(qiáng)勁競爭。雖然日本Elpida等公司投巨資擴(kuò)大生產(chǎn)，然而產(chǎn)品份額并沒有顯著的增長。另一方面，日本半導(dǎo)體業(yè)的強(qiáng)敵，排名世界第一的美國Intel公司，在大力生產(chǎn)微處理器(CPU)的同時(shí)，又揮師進(jìn)軍高贏利的與非型快速擦寫存儲器市場。日本東芝公司負(fù)責(zé)半導(dǎo)體生產(chǎn)的常務(wù)董事室町正志先生驚呼，日本存儲器市場份額必定會進(jìn)一步降低。

 

　　更為致命的是，日本半導(dǎo)體廠商在全球化上已經(jīng)落后于人。目前日本半導(dǎo)體廠商的國內(nèi)銷售比例高達(dá)60%至70%，而國外銷售比例則在30%至40%之間。相對而言，全球著名半導(dǎo)體廠商的海外銷售比例則達(dá)到70%至80%，因此可以說日本半導(dǎo)體廠商的銷售屬于典型的“窩里橫”。

 

　　從企業(yè)布局上看，日本半導(dǎo)體廠商在全球化上的缺陷更為嚴(yán)重。相對于上世紀(jì)80年代，目前其已顯著倒退。當(dāng)時(shí)，日本半導(dǎo)體廠商紛紛在海外建廠，或者建立國外設(shè)計(jì)基地，但是從上世紀(jì)90年代后半期起，由于銷售額下降等原因，通過重組對日本的國外基地進(jìn)行了整合。一位熟悉國外情況的調(diào)查公司分析師指出，“日本撤消國外設(shè)計(jì)基地的做法是致命的”，原因是日本著名半導(dǎo)體廠商在美國擁有設(shè)計(jì)基地時(shí)，通過進(jìn)行聯(lián)合開發(fā)等方式與美國大用戶建立了信任關(guān)系，然而隨著重新布局，也同時(shí)喪失了這種信任關(guān)系，結(jié)果美國的半導(dǎo)體大用戶不再向日本廠商訂貨，因而導(dǎo)致日本半導(dǎo)體廠商的國際市場更加萎縮。

 

 

 

　　謀求振興舉步維艱

 

 

 

　　進(jìn)入新世紀(jì)后，日本半導(dǎo)體業(yè)為追趕美國并與新興的韓國廠商競爭，在日本政府支持下，日本半導(dǎo)體業(yè)先后開展了名為“明日”和“

 

未來”的兩項(xiàng)技術(shù)開發(fā)計(jì)劃。

 

　　“明日”是由民間主導(dǎo)，由東芝、富士通等12家日本大型半導(dǎo)體廠聯(lián)手投資700億日元，開發(fā)65納米線寬的實(shí)用的下一代半導(dǎo)體制造工藝。“未來”是以日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所為骨干，聯(lián)合24家日本半導(dǎo)體廠商和半導(dǎo)體設(shè)備廠商，投資350億日元，共同開發(fā)45納米線寬的半導(dǎo)體器件的新材料和新設(shè)備等的基礎(chǔ)性技術(shù)。其宗旨是以合作的方式，將下一代集成電路技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化，從而降低先進(jìn)技術(shù)的開發(fā)成本，并以此與世界上其他國家的競爭對手一爭高低。通過實(shí)施該合作項(xiàng)目，能為參與合作開發(fā)的各公司節(jié)約100億至數(shù)百億日元的技術(shù)研究和開發(fā)費(fèi)用。

 

　　然而，由于多個(gè)半導(dǎo)體廠商聚集在一起，在確定研究方向上，眾廠商因意見分歧而決策緩慢。因?yàn)檫t遲不見成果，各半導(dǎo)體廠商紛紛自行開發(fā)其65納米線寬的半導(dǎo)體工藝。而對于45納米以下的半導(dǎo)體器件開發(fā)，需要廠商每年投入約10億美元的投資。對日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)非常了解的日本機(jī)械振興協(xié)會經(jīng)濟(jì)研究所的井上弘高級研究員認(rèn)為：“僅靠這些半導(dǎo)體廠商，不一定能夠承擔(dān)這一重任。”

 

　　此外，由于兩個(gè)新一代半導(dǎo)體技術(shù)開發(fā)項(xiàng)目“明日”和“未來”是分別進(jìn)行的，分散了研究力量而且受制于投入資金不足，致使新一代半導(dǎo)體工藝的研發(fā)進(jìn)展遲緩。

 

　　有鑒于此，日本政府的經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省決定，從2004年夏天起，將“明日”項(xiàng)目進(jìn)行的研究，歸并到“未來”項(xiàng)目之中。在此之后，通過調(diào)整科研課題，日本將集中力量研究45納米節(jié)點(diǎn)以下的半導(dǎo)體技術(shù)和工藝。日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所將在其中起主導(dǎo)作用。

 

　　即從2004年夏起，由政府出面領(lǐng)導(dǎo)半導(dǎo)體技術(shù)的研究和開發(fā)，改變以前由東芝公司和富士通公司等企業(yè)主導(dǎo)半導(dǎo)體研究的局面。并通過合并上述兩個(gè)計(jì)劃的重復(fù)項(xiàng)目，從而集中開發(fā)力量，減少不必要的投資，加速研發(fā)進(jìn)程。目的是及時(shí)開發(fā)面向數(shù)字家電等方面的高性能半導(dǎo)體器件，重新確立日本半導(dǎo)體業(yè)在世界的領(lǐng)先地位。

 

　　然而，隨著半導(dǎo)體工藝技術(shù)的快速演進(jìn)，設(shè)備投資和研發(fā)經(jīng)費(fèi)的負(fù)擔(dān)日益沉重，日本半導(dǎo)體企業(yè)中能堅(jiān)持長期投入大量資金和科研力

量的并不多，振興日本半導(dǎo)體業(yè)的奮斗舉步維艱。日本政府一直希望日本半導(dǎo)體廠商通過上述技術(shù)開發(fā)計(jì)劃，盡快實(shí)現(xiàn)10%的利潤率，但

是只有一兩家日本半導(dǎo)體廠商能實(shí)現(xiàn)這個(gè)目標(biāo)。

 

　　日本政府近來根據(jù)最新的信息技術(shù)發(fā)展計(jì)劃即U-Japan計(jì)劃，開始啟動了新一輪的半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)。被稱為SELETE(Semiconductor

Leading Edge Technologies，即半導(dǎo)體尖端技術(shù))的開發(fā)項(xiàng)目，每年將投資100億日元，以研究和開發(fā)45納米和32納米節(jié)點(diǎn)的實(shí)用制造工藝為主。該項(xiàng)目是以東芝、NEC電子、瑞薩和富士通四家公司為中心，帶領(lǐng)其他廠商共同從事研發(fā)。內(nèi)容包括前工序和后工序以及供實(shí)用的金屬柵/高介電率材料和多孔低介電率絕緣材料，此外還有用于45納米和32納米節(jié)點(diǎn)半導(dǎo)體設(shè)備的EUV光刻技術(shù)和掩膜工藝。被稱為STARC(Semiconductor Technology Academic ResearchCenter，即半導(dǎo)體技術(shù)學(xué)術(shù)研究中心)的項(xiàng)目，每年投資預(yù)算50億日元，以新型器件的設(shè)計(jì)為主，其中包括用于研制器件的設(shè)計(jì)平臺。

 

　　應(yīng)該指出的是，日本這種形式的半導(dǎo)體開發(fā)，是將基礎(chǔ)性研究和實(shí)際制造工藝開發(fā)分開進(jìn)行。與世界其他半導(dǎo)體廠商相比較，這種“兩張皮”的做法將很難保證開發(fā)出的研究成果能夠及時(shí)地轉(zhuǎn)化為實(shí)用工藝。