聯合建廠一波三折
為了突破困局,振興日本半導體業,2005年開始,在日本政府產
經省的主導下,日立、東芝、瑞薩、NEC電子和松下電器等五家公司,
準備聯合建立合作性質的委托生產廠。
近年來日本半導體業一蹶不振,其在世界半導體市場的份額一直
在20%上下徘徊,并且由于大部分半導體廠商虧損,對于需數十億美
元投資的采用先進工藝的300mm硅圓片廠,各廠商已無力獨立興建。
為增強競爭能力和分散投資負擔,日本半導體廠商只能走合作建設新
型半導體廠的道路。
2005年這一方案提出不久,準備合作的上述五家公司就在投資額
負擔問題上出現了裂痕。先是NEC電子和東芝在2005年11月宣布,他
們兩家公司將共同開發45納米的半導體工藝,并進一步考慮新工藝的
聯合生產。在宣布這一消息的同時,NEC電子總裁中易俊雄稱,將與
一直在聯合開發45納米工藝的瑞薩公司和松下公司繼續保持合作關系。
另據《日本經濟新聞》報道,2006年1月日本日立、東芝和瑞薩
科技公司將聯合成立一家合作生產最先進的半導體器件的生產廠。該
廠將投入1000億日元的資金。他們計劃從2007年開始生產數字家電的
核心元件———新一代的單芯片集成系統器件(SoC),工藝水平
達到45納米節點的要求。新工廠將建在東芝公司位于日本西南部大分
縣的廠區,或瑞薩科技公司位于東京北部茨城縣的廠區。
面對美國Intel公司2005年11月起已在亞利桑那州開始興建45
納米工藝生產廠,并且至2008年將在設備上投資約70億美元的強勢競
爭,日本半導體廠商毫無還手之力。日本整個半導體業在設備上的投
資也趕不上美國Intel一家公司的投資,更何況韓國三星電子公司
近年也宣布了超過50億美元的半導體投資。在這兩大強敵咄咄逼人的
競爭態勢下,日本半導體業與世界先進水平的差距只會越來越大,而
不會逐漸縮小。
編輯點評
日本半導體業興衰的啟示
日本半導體產業的興衰為我國半導體業帶來兩點重要啟示,一
是產業的發展要發揮本國的優勢,二是產業的發展需要政府的大力支
持。
現在已經很少有人知道,十幾年前日本NEC公司曾坐過全球半導
體市場的頭把交椅,而當年美國Intel公司在半導體市場上只不過
是世界老七。
NEC電子公司是NEC總公司于2002年在其半導體部門基礎上成立的。
其2005年的銷售額為57.1億美元,與2004年相比,降低了12.2%,世
界排名也降為第10名。這只是日本半導體業的一個縮影。有數字表明,
2005年全球半導體業的市場份額中,日本廠商合計僅占20%左右,對
比上世紀80年代日本半導體業占有世界市場50%以上份額的盛況,已
不可同日而語。
從經營策略上而言,日本東芝、NEC等日本半導體廠商近年來將
半導體業的投資重點放在了液晶顯示器和內存芯片上。由于沒能發揮
日本半導體業將技術轉化為高附加值產品的優勢而造成連年大幅度虧
損。有關專家指出,日本半導體廠商在生產線上的流片周期相對較長,
人工成本高于世界平均水平,他們只適于生產高附加值的器件,因而
近年來在通用大批量器件,例如存儲器的生產上屢戰屢敗。日本半導
體業要想減少虧損,必須退出這些贏利不高而風險又較大的市場,專
注于他們所擅長的消費電子類器件和集成系統芯片市場。
但是,為什么日本半導體產業會一蹶不振呢?隨著半導體工藝技
術的快速演進,設備和研發經費的投入需求越來越大,因此半導體業
的競爭就是國力的競爭。美國政府視其半導體產業為事關國家經濟命
脈和國防安全的最重要的產業之一,堅持每年將半導體業銷售額的2.5%
用于技術研發和設備投資,從而保持了其在世界亞微米和深亞微米
半導體工藝上的領先地位。
而迫于市場的壓力和連年赤字,大部分日本廠商無力投資興建采
用先進工藝的新廠,只好眼睜睜地看著歐美和韓國的廠商占領市場。
盡管擁有先進技術,然而只能陷入心有余而力不足的境地。
有專家指出,半導體器件的集成度越高,研究的風險也越大,同
時在基礎研究上的投資也隨之增大。對于曾有巨額虧損的日本半導體
廠商而言,只有依賴日本政府的國家基礎研究經費,方能進行最尖端
的半導體工藝和設備的研究和開發。
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日本和美國的較量
從1976年起,由日本通產省主導,日本NEC、東芝、富士通、日
立和三菱電機等五家公司,攜手日本工業技術研究院電子綜合研究所
和計算機綜合研究所,投資720億日元,通過企業與科研機構的聯合,
實施了大規模集成電路的研發計劃。經數年努力,在微米級半導體工
藝上一舉超過美國,從而奠定了上個世紀80年代下半期日本半導體產
業稱霸全球半導體市場的基礎,占據了世界半導體市場50%的份額。其
中從上世紀80年代中期起,日本在世界DRAM(動態隨機存取存儲器)市
場中長期占有90%左右的份額。當時日本被稱為“半導體王國”。
然而好景不長,不甘落于人后的美國半導體業成立了SEMATECH
(半導體制造技術R&D聯合體),動員了全美700名科技精英,耗時10
年,每年投入2億美元(其中一半由美國國防部高級研究計劃局提供,
另一半由美國13家半導體公司按年銷售額的1%集資),全力研究和開
發深亞微米級的半導體工藝及其相應的先進制造設備。還有,美國軍
方投資10億美元,開發軍用通信和信號處理所需的半導體器件和技術。
此外,美國祭出了關稅與貿易總協定GATT的超級301條款,迫使
日本締結了“美日半導體協定”,規定“外國半導體廠商必需占有日
本國內20%市場”,強制日本產業界屈服美國的政治壓力。1993年,
美國終于從日本手中重新奪回全球半導體業龍頭老大的地位。更有甚
者,美國Intel公司和微軟公司,利用個人電腦滲入社會方方面面
的有利時機,成功地采用壟斷策略,鞏固了其在半導體市場和軟件市
場上的長期的支配性地位,迫使日本在世界半導體市場上節節敗退。
自此,美國政府視其半導體產業為事關國家經濟命脈和國防安全的最
重要的產業之一,堅持每年將半導體業銷售額的2.5%用于技術研發和
設備投資,從而保持了其在世界上亞微米和深亞微米半導體工藝上的
領先地位。
另外值得一提的是,從上世紀90年代起,韓國、我國的臺灣省和
祖國大陸等亞洲地區半導體業的興起,以低成本的競爭優勢,也重創
了日本半導體業。
日本半導體業近年總結自己的教訓時已認識到,1986年至1991年
日本超出半導體發明國———美國而稱雄世界半導體市場時,只不過
是在生產技術上超過了美國。當時繁榮的假象,使日本人產生了全面
超過美國的錯覺。
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